此前有报导称，三星挑选在其平泽P4工厂建造1cnm工艺的DRAM出产线，并向合作伙伴订货了设备，估计2025年第一季度开端做装置，为HBM4的出产铺平道路。1cnm归于第六代10nm等级工艺，电道路nm，领先于现有第五代10nm等级的1bnm（电道路月开端量产。
据TrendForce报导，自2024年下半年以来，三星就在从头调整1cnm DRAM的规划，原因也是陈词滥调的问题，便是良品率。三星的1cnm DRAM自开发以来一向存在良品率问题，2024年底的试产并未到达预期的作用，而大规模出产预备阶段的良品率通常在60%至70%左右。
三星的新方法侧重于坚持中心电道路宽的紧凑，并放宽外围的电道路宽，来提高良品率，以保证HBM这类高价值存储器能够安稳量产，估计本年5月到6月之间会看到作用的明显提高。三星期望能够赶快完结调整，究竟竞赛目标SK海力士最快2025年2月开端量产1cnm DRAM芯片，将成为全世界首家运用1cnm工艺出产DRAM芯片的存储器供货商。
此外，我国存储器制造商的加快速度进行开展也给三星带来了压力，风闻长鑫存储（CXMT）开端使用D1z工艺（16nm）大规模出产DRAM芯片。